Producer Viva Radical Treatment (프로듀서 비바 라디칼 트리트먼트 시스템)

AI와 고성능 컴퓨팅 확산으로 트랜지스터 구조가 점점 더 미세화되면서, 반도체 소자 성능은 실리콘 채널의 물리적 상태에 의해 점점 더 제한되고 있습니다. 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 구조의 나노시트는 극도로 매끄럽고 결함이 없는 표면 품질을 요구합니다. 원자 수준의 거칠기나 불순물 으로도 인터페이스 트랩 밀도가 증가해 캐리어 이동도와 트랜지스터 속도를 저하시킬 수 있습니다.

어플라이드 머티어리얼즈의 Producer^™ Viva^™ 라디컬 처리 시스템은 나노시트 표면의 옹스트롬 수준 정밀 엔지니어링을 구현함으로써 이러한 한계를 직접적으로 해결합니다. Viva는 특허 받은 이온 프리 라디칼 전달 아키텍처를 기반으로, 반응성이 높은 순수 라디칼을 생성합니다. 깊숙이 매립되고 직접적인 시야 확보가 어려운 트랜지스터 구조에서도 균일하고 우수한 표면 처리를 구현하며, 동시에 이온 플라즈마로 인한 구조적 손상을 제거합니다. 

이 라디컬 종은 나노시트 표면에서의 원자 실리콘 이동에 필요한 표면 에너지를 감소시키고 불필요한 불순물을 제거합니다. 여기에 플라즈마와 분리된 독립 제어형 멀티존 히터를 통해 표면 반응 동역학(kinetics)을 최적화해, 원치 않는 소재 손실을 효과적으로 억제합니다. 순수 라디컬 기반의 부드러운 공정과 표면 반응 동역학의 정밀 제어를 통해 Viva 시스템은 GAA 나노시트의 채널 평탄화, 계면 트랩 밀도 저감, 표면 물성 개선을 달성하는 동시에, 복잡하고 민감한 3차원 나노시트 구조의 구조적 안전성도 유지합니다.

로직 설계가 핀펫(FinFET)에서 게이트올어라운드(GAA), 더 나아가 CFET와 같은 차세대 소자 구조로 진화함에 따라, 채널 표면 품질은 트랜지스터 성능을 결정하는 핵심 요소로 자리잡고 있습니다. 결함없이 균일하고 깨끗한 나노시트 표면은 전자 이동도를 크게 향상시켜 트랜지스터의 스위칭 전환 속도를 높이며, 이를 통해 차세대 AI 칩이 요구하는 고성능·고효율을 동시에 달성할 수 있습니다. Viva의 옹스트롬 수준 정밀 표면 엔지니어링 기술은 AI 시대에 요구되는 트랜지스터 성능을 구현할 수 있는 확장 가능하고 양산 대응이 가능한 솔루션을 제공합니다.