어플라이드 Producer Precision 선택적 질화막 PECVD 

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 등장부터 3D 핀펫(FinFET) 구조의 도입, 그리고 GAA (게이트올어라운드) 아키텍처로의 전환에 이르기까지, 트랜지스터는 최첨단 반도체 기술의 요구에 부응하며 눈에 띄는 변화를 거듭해 왔습니다. GAA 아키텍처의 등장과 함께 STI(Shallow Trench Isolation, 얕은 트렌치 절연) 산화물 리세스(recess) 관리와 이를 해결하기 위한 혁신적인 소재 솔루션의 필요성 등 새로운 과제가 대두되고 있습니다.

Producer Precision^™(프로듀서 프리시전) 선택적 질화막은 첨단 GAA 트랜지스터 아키텍처에서 핵심적인 STI 집적 과제를 해결하기 위해 어플라이드 머티어리얼즈가 개발한 선택적 바텀업(bottom-up) 질화막 증착 기술입니다. 소자 치수가 지속적으로 미세화됨에 따라 후속 식각 공정의 영향으로 STI 산화물의 높이와 무결성을 유지하기가 점점 더 어려워지고 있으며, 이는 STI 리세스와 기생 커패시턴스(Parasitic Capacitance) 증가, 소자 성능 저하로 이어집니다. Precision 선택적 질화막은 트렌치 바닥에 질화막을 증착하는 방식으로 이 문제를 해결합니다. 견고한 STI 보호층 역할을 수행해 STI 높이를 보존하고 기생 커패시턴스를 감소시키며 첨단 로직 노드에서 안정적인 소자 성능 구현을 가능하게 합니다.

GAA 전환은 트랜지스터 아키텍처 혁신의 중요한 이정표로, 향상된 소자 성능과 에너지 효율 향상을 위한 길을 열고 있습니다 . 까다로운 갭필(gap fill) 요구 사항을 충족하기 위해서는 새로운 소재 솔루션이 필수적입니다. Precision 선택적 질화막 공정은 범용성 높은 증착 방식을 활용해 다양한 갭필 애플리케이션에서 바텀업 증착을 구현합니다.