Centris Spectral (센트리스 스펙트럴) SiN ALD

반도체 디바이스 스케일링이 계속됨에 따라, 제조사들은 엄격한 열 공정 조건(thermal budget) 내에서 복잡한 3D 구조에 고품질 유전체 SiN(실리콘 질화막) 박막을 증착하는 데 점점 더 큰 어려움을 겪고 있다. 기존 플라즈마 증착 방식은 첨단 디바이스의 열적 제약과 점차 좁아지는 고종횡비 구조 내에서 치밀한 박막을 균일하게 형성하는 데 한계가 있다. 품질이 기준에 미치지 못하는 박막은 식각 및 후처리 같은 후속 집적(downstream integration) 공정을 견디지 못해 결국 디바이스의 성능 저하로 이어진다.

Centris^™ Spectral^™ (센트리스 스펙트럴) SiN 원자층증착(ALD) 시스템은 고밀도 직접 마이크로파 플라즈마인 Nimbus^™와 공간 분할형(spatial) 원자층증착 아키텍처를 결합해 이러한 과제를 해결하도록 설계되었다. 이 방식은 고종횡비 구조에서 우수한 단차 피복성(conformality)을 유지하는 동시에 더 낮은 온도에서 고품질 실리콘 질화막을 증착할 수 있게 지원한다. 또한 낮은 이온 에너지와 최적화된 라디칼 플럭스 공급으로 플라즈마로 인한 손상을 최소화한다. 그 결과 높은 식각 저항성과 우수한 전기적 성능을 갖춘 극박막 적용이 가능해져 신뢰성을 떨어뜨리지 않으면서도 한 층 진전된 스케일링이 가능하다. 이와 함께 멀티 페데스탈(multi-pedestal) 기반의 고처리량 아키텍처는 기존 단일 웨이퍼 원자층증착 시스템의 생산성 한계를 해결하며 첨단 노드 제조에 필요한 성능·신뢰성·비용 효율의 차별화된 균형을 제공한다. 

어플라이드 머티어리얼즈의 Centris Spectral 원자층증착 포트폴리오에서 Spectral SiN 원자층증착 시스템은 기존 플라즈마 강화 증착 솔루션에서 나타나던 플라즈마 밀도와 이온 유발 박막 손상 간의 상충 관계를 제거함으로써 유전체 원자층증착 역량을 구현하고, 고객에게 공정 집적 시 더 큰 유연성과 제어력을 제공한다. 또한 첨단 로직·메모리 애플리케이션의 저온 핵심 SiN 박막을 위한 새로운 공정 영역을 개척함으로써 어플라이드의 기존 유전체 증착 기술을 보완한다. 디바이스 아키텍처가 계속 진화하는 가운데 Centris Spectral SiN 원자층증착 시스템은 지속적인 혁신을 위한 확장 가능한 플랫폼으로서 3D 집적의 미래 요건을 뒷받침하는 동시에 수율·신뢰성·제조 효율 향상이라는 업계의 요구에 부합한다.