低誘電率層間絶縁膜は、配線RC遅延の低減、消費電力の低減、配線の構造的形状品質保持に重要な役割を果たします。一般的に、低い誘電率、すなわち「k値」は、信号速度を上げ、消費電力を下げますが、機械的強度を犠牲にします。

アプライド マテリアルズの強化されたProducer^™ Black Diamond™テクノロジーは、3Dロジックとメモリのスタッキングに必要な機械的強度を高めながら、最小k値を低減し、2nm以下の微細化を可能にします。 この新しい高密度低誘電率膜は、幅広いk値に調整できるため、あらゆる配線階層に使用できます。大手ロジックおよびメモリーチップメーカーは、最先端ノードでの大量生産にBlack Diamond膜を採用し続けています。

全世代の低誘電率誘電体膜

ブラックダイヤモンドIIは、生産されている唯一のナノポーラス低誘電体です（k = ~2.55）。ナノ多孔質低誘電率膜の作成は、有機ケイ酸塩ガラスの「骨格」と熱に不安定な有機相の堆積から始まる2段階のプロセスです。その後、紫外線（UV）硬化によって不安定相が除去され、多孔性が誘発され、残ったシリコン-酸化物骨格が強化されて最終的なナノ多孔質膜が形成されます。

Black Diamondは業界リーダーであり、低誘電率膜のベンチマークであるk = ~3.0で、特に下層配線層用に設計された高密度の低誘電率膜です。

UV硬化システム

Black Diamondシリーズは、アプライド・プロデューサーのApollo^™ UV硬化システムとの併用に最適化されています。Apolloシステムは、高輝度UV光源を使用し、Black Diamond膜を安定化、高密度化し、機械的、光学的特性を最適化します。Apollo UV硬化システムは、低誘電率膜硬化の業界基準であり、市場で最速の硬化時間と最高の歩留まりを提供します。 すべてのBlack Diamond膜は、アプライド マテリアルズのCMPおよびメタル成膜プロセスとも共同最適化されています。