Centura Prime Epi

AIワークロードによって高帯域幅メモリ(HBM)やその他の高度なメモリソリューションに対する需要が爆発的に増加するにつれ、 DRAMメーカーは周辺トランジスタの性能と統合性を向上させるよう、ますます強いプレッシャーにさらされている。AIシステムの性能向上に不可欠なHBMは、DRAMのロードマップを加速させ、 歪みエンジニアリング 、しきい値電圧制御、SiGe、埋め込みSiGe、埋め込みSiPなどのより複雑な材料スタックを含む、 エピタキシャル 成長に基づく材料エンジニアリングに対する要求を高めている。同時に、メーカーは、所有コストの圧力、製造工場のスペース制約、エネルギー消費量の削減といった持続可能性目標を管理しながら、こうしたデバイスの規模拡大の要求に応えなければならない。こうしたニーズの高まりにより、高度なDRAM周辺トランジスタ用途向けに、高いスループット密度、優れたプロセス均一性、効率的な統合を実現できるエピタキシャル成長ソリューションへの需要が高まっている。

Centura Prime Epiの新しいDRAM重視構成は、高い生産性とコンパクトなフットプリントを実現するために最適化されたアーキテクチャを採用することで、これらの課題に対処するように設計されています。7面メインフレーム、4エピ+2プレクリーン構成、シングルウェーハロードロックをベースとしたこのシステムは、デュアルブレードロボット、 Clarion プレクリーンチャンバー、およびクリーンな工場インターフェースを統合することで、ウェーハハンドリング効率とプロセス安定性を向上させ、高度なDRAM材料エンジニアリングをサポートします。これらの革新技術により、顧客は所有コストを削減し、製造スペースを節約し、エネルギー消費量を削減しながら、次世代DRAM周辺トランジスタのスケーリングに必要なプロセス性能を維持することが可能になります。従来のCentura Prime Epiプラットフォームは、高度なロジックおよびICAPS(モノのインターネット、通信、自動車、電力、センサー)アプリケーション向けに引き続き提供されていますが、この新しい構成では、メモリ周辺トランジスタ形成の独自の要件に合わせたソリューションにより、プラットフォームをDRAM分野に拡張します。

アプライド社のエピタキシャル技術ポートフォリオにおいて、従来のCentura Prime Epiは引き続き高度なロジックおよびICAPSアプリケーション向けのプラットフォームとして位置づけられており、今回の新構成により、DRAM周辺トランジスタの分野における可能性にも対応できるよう、製品ラインナップが拡大される。Centura Xtera Epiなどのシステムと組み合わせることで、このプラットフォームファミリーは、エピタキシャル成長能力をデバイスのアーキテクチャやスケーリングのニーズに適合させるための、より幅広い選択肢を顧客に提供します。DRAMメーカーにとって、この新しい構成は、平面トランジスタ構造から、より高度な垂直型および3Dメモリアーキテクチャへの移行をサポートするための拡張可能な道筋を提供するものであり、より緊密なプロセス統合と生産性の向上は、今後ますます重要になるだろう。メモリのロードマップが進化し続ける中、Centura Prime Epiは、お客様が将来のノード移行をより柔軟かつ効率的に乗り越えられるよう支援する体制を整えています。

Centura Epi 200mm

Responding to evolving power and MEMS device requirements, device manufacturers are targeting thicker epitaxial layers. Film thicknesses up to 150µm and tighter fabrication tolerances for Rs (sheet resistance), defect density, thickness uniformity, and particle performance are causing the market to move away from batch toward single-wafer processing.