ECD

在半导体器件制造中需要铺设大量铜线,ECD(电化学沉积)是最快速且最具成本效益的方法。铜线作为导线互相连接以形成完整电路。要使电路正常工作,关键是金属要完全填充这类布线的特征部位(通孔沟槽),不留缝隙或孔洞,否则就会影响电路的可靠性和功能性。

ECD 是先进封装中的关键工艺,包括2.5/3D、球栅阵列、芯片级封装和晶圆级封装,用于 倒装芯片扇出、扇入和混合键合等应用。虽然铜是最常见的电镀金属,但金、镍、银和锡也可以通过ECD工艺沉积。此外,ECD 还可以创建多种互连结构,包括凸点、支柱、RDL(再分布层)、TSV(硅通孔)和焊盘。

自底向上的填充与侧壁抑制之间的平衡极难实现,应用材料公司的技术成功做到了这一点,能在小于 20 纳米、深宽比大于 5:1 的特征内完成无缺陷填充。

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