Endura^®Volta^® 选择性钨化学气相沉积

钨因其低电阻率和体填充特性，已广泛用作中段 (MOL) 导线的间隙填充材料。MOL 导线在晶体管与互连器件之间形成关键的导电通路。因此，确保导线的低电阻率对于整个器件性能来说至关重要。

然而，随着微缩的不断发展，导线尺寸开始缩小到某种程度，使导线电阻成为实现最佳器件性能的障碍。随着导线横截面的缩小，金属衬垫/阻挡层和成核层占据体积比例越来越大，为导电金属填充所留的体积变小。另外，钨塞中的多个电阻界面也进一步提高了导线电阻。

应用材料公司的Endura Volta 选择性钨化学气相沉积 (Selective W CVD) 系统提供了一种集成材料解决方案（Integrated Materials Solution™），缓解了伴随二维微缩领域的突破带来的不利影响。该系统包括表面处理腔室与选择性钨沉积腔室。选择性沉积是通过沉积腔室的独特工艺能力和各种表面处理来实现的，这些表面处理使用专门的化学制剂来制备接触孔的底层金属和介电质，从而实现自底而上的金属对金属沉积。这种选择性工艺消除了衬垫/阻挡层和成核层，从而缓解了器件性能的瓶颈，并生成无空隙和无缝隙的填充。

由于所有的工序都是在超洁净、连续的高真空环境中进行，这种整合材料解决方案确保了纯净的界面和无缺陷的导线填充。与传统的衬垫/阻挡层导线制造相比，随着导电金属体积的最大化，导线电阻率得到了显著改善。这种较低的电阻率有利于提高器件密度并延伸了二维微缩。