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Varian VIISta® Trident

隨著晶片設計的日益複雜,所需的離子植入的步驟亦相對增加。今日,具有嵌入式記憶體的 CMOS 積體電路可能需要多達 60 道植入步驟,其中多道步驟對元件的效能至為重要。

Tom Parrill 將離子植入和 Trident 系統形容為啟動尖端電晶體低溫植入功能的角色。

此系統系採用 VIISta 高電流離子植入平台經生產驗證的單晶圓架構,為能量純化、均勻度以及角度和劑量率控制建立全新標準,提供高產能和最高生產力,符合先進的節點需求。

Trident 平台結合雙磁鐵帶狀束流架構和創新的能量純化模組 (EPM),提供受控制的精準植入輪廓。能量純化模組 (EPM) 亦可有效過濾光束線元素所產生的微粒,將晶圓與污染物有效隔離。VIISta Trident 平台是唯一可測量和修正束流角度的高電流系統,方法是採用獨特的閉迴路控制系統,提供高準確性和可重複性的入射角控制,達到真正零度角和精準的高傾斜角度植入。

Tom Parrill 將離子植入和 Trident 系統形容為啟動尖端電晶體低溫植入功能的角色。