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Varian VIISta® Trident

隨著晶片設計的日益複雜,所需的離子植入的步驟亦相對增加。今日,具有嵌入式記憶體的 CMOS 積體電路可能需要多達 60 道植入步驟,其中多道步驟對元件的效能至為重要。

Tom Parrill 將離子植入和 Trident 系統形容為啟動尖端電晶體低溫植入功能的角色。

此系統系採用 VIISta 高電流離子植入平台經生產驗證的單晶圓架構,為能量純化、均勻度以及角度和劑量率控制建立全新標準,提供高產能和最高生產力,符合先進的節點需求。

Trident 平台結合雙磁鐵帶狀束流架構和創新的能量純化模組 (EPM),提供受控制的精準植入輪廓。能量純化模組 (EPM) 亦可有效過濾光束線元素所產生的微粒,將晶圓與污染物有效隔離。VIISta Trident 平台是唯一可測量和修正束流角度的高電流系統,方法是採用獨特的閉迴路控制系統,提供高準確性和可重複性的入射角控制,達到真正零度角和精準的高傾斜角度植入。

The VIISta Trident Crion™ configuration enhances the Trident platform with enhanced cryogenic implantation capabilities, including more efficient wafer cooling and improved temperature control, that enable damage engineering and precision materials modification applications at up to 50% higher throughput. At advanced nodes, dopant activation and elimination of end-of-range defects become significant challenges that can impede the scaling of high-performance chips. The Crion system retains the integrated wafer-cooling station from the preceding PTC II XP that eliminates pre-implant wait time.

全球許多尖端記憶體、邏輯元件以及晶圓代工製造商均採用 VIISta 高電流系列系統進行生產。