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Varian VIISta® Trident™

随着芯片设计的日益复杂，所需的离子注入工序亦相应增加。当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道，其中很多工序对器件的性能至为重要。

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Tom Parrill 介绍离子注入和 Trident 低温注入系统在尖端晶体管发展方面的推动作用。

该系统采用 VIISta 高电流离子注入平台经生产验证的单晶圆架构，为能量纯化、均匀度以及角度和剂量率控制确立了全新标准，可满足先进节点要求，成品率高，最大程度提升生产效率。

Trident 平台将双磁铁带状束流架构与创新的能量纯化模块 (EPM) 相结合，提供可控的精准注入形貌。能量纯化模块 (EPM) 亦可有效过滤束线元件产生的微粒，将晶圆与污染物有效隔离。VIISta Trident 平台采用独特的闭环控制系统，是唯一可测量和修正束流角度的高电流系统，能够提供高度准确、可重复的入射角控制，达到真正的零度角和精准的高倾斜角度注入。

VIISta Trident Crion™ 配置采用低温注入功能，提升了 Trident 平台的性能，包括高效的晶圆冷却和温度控制，可用于损伤工程和精密材料改性等应用。在先进节点工艺中，如何活化掺杂剂和消除末端缺陷成为重大的难题，这些会阻碍高性能芯片的微缩。 

目前，VIISta 高电流系列系统已为全球多家尖端存储器、逻辑元件及晶圆代工制造商用于生产制造。