Centura^® Etch

應用材料Centura蝕刻系統可提供高生產效率的矽、鋁和介電質蝕刻。蝕刻是半導體生產中最關鍵和最具挑戰性的步驟之一。無論是蝕刻閘極、電晶體隔離溝槽、高深寬比接觸點，還是任何級別的導線鋁或介電薄膜；保持精準、可重複和一致的關鍵尺寸控制，是元件良率的關鍵。該系統解決了150mm和200mm的技術難題，包括用於MEMS的深寬比> 100：1的矽蝕刻、淺接面MOSFET的多合一硬遮罩開溝槽帶，以及用於功率元件和LED的新型材料如銦錫氧化物、碳化矽（ SiC）和氮化鎵。

Centura 的單晶圓、多反應室架構支持多達四個製程反應室的整合、連續晶圓加工。應用材料公司的 Centura DPS Plus 是公認的鋁蝕刻產業標竿。Applied Centura DPS-DTM是用於SiC的先進深反應式離子蝕刻系統，可在實現高產量的同時，精確控制蝕刻壁的平滑度和溝槽輪廓。

這些系統具有以下特點：

• 該平台強化的功能，可以可靠而謹慎地處理碳化矽 (SiC) 晶片，從承載器晶圓定位到明確的晶圓定向再到晶圓擺放。
• 增壓器套件採用庫倫力型陶瓷靜電吸盤和釔塗層製程反應室
• 用於反應室狀態分析的先進 EyeD® 全光譜端點和 PC 工具組件
• 渦輪分子幫浦採用葉片設計，可減少逆流，從而強化副產物的溫度控制
• ESC具有更大的晶圓接觸面積和雙氣體供氣，可以更好地控制晶圓內性能
• 可提供更高蝕刻速率和原地清潔的頂級射頻源