CVD 공정은 다양한 응용 분야에 사용됩니다. 이러한 공정은 패터닝 필름부터 트랜지스터 구조 내부의 절연 물질과 전기 회로를 형성하는 전도성 금속층 사이의 절연 물질까지 다양하게 적용됩니다. 응용 분야로는 STI, 전금속 유전체, 금속간 절연체, 페시베이션이 있습니다. 또한 전도성 개선을 통해 트랜지스터 성능을 향상시키는 압축 또는 인장 응력 필름을 사용하는 신축 변형 가공에서도 중요합니다.
텅스텐은 낮은 저항과 벌크 충진 특성으로 인해 중간 라인(MOL) 컨택에서 갭 충진 재료로 널리 사용되었습니다. MOL 컨택은 트랜지스터와 인터커넥트 간에 중요한 전기적 링크를 형성합니다. 따라서 전반적인 소자 성능을 위해 낮은 저항성...
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고속 애플리케이션 분야에서 부상하는 신소재 중 하나인 탄화규소(SiC)는 투명도 때문에 웨이퍼 처리가 매우 까다롭습니다. DXZ CVD 시스템은 loadlock 웨이퍼 매핑, 재현성 있는 웨이퍼 방향 초기화, 웨이퍼 배치에 이르기까지 SiC...
Applied Centura Ultima X HDP‑CVD 챔버의 반응기 설계와 공정 기술을 통해 STI, 전금속 유전체, ILD, IMD, 페시베이션 등의 다양한 응용 분야에 대해 무도핑 필름과 도핑 필름을 모두 증착할 수 있습니다.
낮은 저항과 최소한의 일렉트로마이그레이션을 특징으로 하는 텅스텐은 로직 및 메모리 소자에서 트랜지스터를 집적 회로의 나머지 부분과 연결하는 컨택과 중간 라인(최저 레벨) 인터커넥트를 충진하기 위한 재료로 오랫동안 사용되어 왔습니다. 이전의...
복잡한 모바일 기술에 대한 요구에 따라 개발된 다중 컴포넌트 시스템 온 칩(SoC) 설계는 원하는 기능과 소형화를 구현하기 위해 많이 활용되고 있습니다. 이러한 첨단 프로세서를 위한 공격적 미세화로 인해 이러한 멀티 레벨 소자에서 길이가 몇...
텅스텐은 낮은 저항과 정합 벌크 충진의 특성 때문에 로직 컨택, 중간 라인, 메탈 게이트 충진 응용분야에서 널리 사용되고 있습니다. 컨택과 국소 인터커넥트는 트랜지스터와 회로의 나머지 부분 사이에 중요한 전기 통로를 형성합니다. 따라서 견고하고...
사실상 모든 첨단 DRAM, NAND 플래시, NOR 플래시 제조 시설에서 사용되는 이 시스템은 STI, 게이트, 비트라인, 컨택, 커패시터, 인터커넥트를 위한 업계 최초의 상용 PECVD 박리 가능 비정질 탄소 필름을 형성합니다. 또한...
TSV 제조 공정에는 소자 웨이퍼를 얇게 만들고 유리나 실리콘 소재의 임시 캐리어에 본딩하는 과정이 포함됩니다. 일반적인 접착제는 약 200ºC의 열처리량을 갖기 때문에 이러한 하이브리드 웨이퍼에서 진행되는 모든 후속 공정은 매우 낮은 온도에서...
BLOk 필름은 유전체 필름 스택의 커패시턴스를 크게 줄이고 뛰어난 식각 선택비와 전기적 성능을 유지해 지속적인 RC 미세화가 가능합니다. 검증된 표면 준비와 개시층 공정으로 BLOk II를 Black Diamond와 쉽게 통합할 수 있고...
Black Diamond II 나노 다공성 저 유전율 필름은 45/32nm 구리/저 유전율 인터커넥트를 위한 업계 표준이며 k 값이 약 2.5입니다. 이전 제품인 Black Diamond(k~3.0)는 90/65nm 노드를 위한 업계 표준입니다...
어플라이드 Producer 플랫폼은 전 세계로 수천 대 시스템이 판매되었으며 업계에서 비용 효과가 가장 우수한 웨이퍼 공정 제품입니다. Producer 플랫폼의 혁신적인 트윈 챔버 구조는 최대 6개 웨이퍼를 동시에 처리할 수 있어 더욱 뛰어난...
이 시스템은 최대 1.7GPa의 인장 응력을 제공하는 응력 질화물 증착과 낮은 열처리량 요건을 충족하는 UV 경화의 통합 공정을 제공합니다. 동일한 챔버에서 최대 3.5GPa의 압축 응력으로 필름을 증착시킬 수 있습니다. 이 공정은 검증된 실란...
어플라이드 머티어리얼즈의 APF™(Advanced Patterning Film) 박리 가능 CVD 하드마스크와 함께 사용하는 APF/DARC 필름 스택은 식각 선택비, CD 제어력, 라인 에지 거칠기를 향상시키는 리소그래피 구현 솔루션을...
칩 제조사들은 제곱 밀리미터당 더 많은 기능을 얻기 위해 갈수록 더 작은 트랜지스터로 칩을 설계하고 있습니다. 트랜지스터가 작아지고 그 사이의 공간도 작아지면서 트랜지스터를 서로 물리적으로 분리시키기가 갈수록 더 어렵습니다.
고성능...
HARP 공정은 특허 받은 오존/TEOS 화학 반응을 이용한 고유의 공정으로 트랜지스터 성능을 향상시킵니다. 추가 되는 공정의 복잡성이나 또는 추가 비용 없이 2D 평면 로직에서 트랜지스터 구동 전류와 메모리 소자의 특성 보유 시간을 크게...
TSV 공정으로 다각화하는 고객을 위해 InVia 시스템은 벤치마크 공정을 제공할 뿐만 아니라 TSV 제조 순서에서 통합 능력도 입증했습니다. 이 시스템은 비아 미들 TSV에 대한 열처리량과 정합성 요건을 충족시키는 유일한 시스템입니다. 이...
Precision 챔버의 특수화된 설계는 게이트 스택에 필요한 필름 품질로 균일한 층간 증착을 구현해서 칩 제조사들이 평면 낸드에서 3차원 수직 구조 낸드 생산으로 전환할 수 있게 해줍니다. 여러 공정과 챔버 환경의 매개 변수를 조절할 수 있는...
