화합물 반도체는 원소 주기율표의 두 가지 이상 그룹에 속한 화학 원소로 구성됩니다. (예. III–V 반도체) 다이렉트 에너지 밴드갭, 높은 절연 파괴 전기장, 높은 전자 이동도 등 실리콘에 비해 독특한 소재 특성을 지녀 광자, 고속, 고성능 소자 기술 구현이 가능합니다. 화합물 반도체 내부의 전자는 실리콘 반도체에 비해 훨씬 빠르게 이동해 기존 대비 100배 이상 빠른 속도로 처리할 수 있습니다.
고속 애플리케이션 분야에서 부상하는 신소재 중 하나인 탄화규소(SiC)는 투명도 때문에 웨이퍼 처리가 매우 까다롭습니다. DXZ CVD 시스템은 loadlock 웨이퍼 매핑, 재현성 있는 웨이퍼 방향 초기화, 웨이퍼 배치에 이르기까지 SiC...
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어플라이드의 Centura Etch Reactor가 해결하는 200mm 기술의 새로운 당면 과제로는 MEMS를 위한 종횡비 >100:1의 실리콘 식각, SJ MOSFET를 위한 올인원 하드 마스크 오픈 트렌치 스트립, LED와 전력 소자를...
어플라이드 Endura 플랫폼은 반도체 산업 역사상 가장 성공적인 금속 배선 시스템입니다. Endura 시스템은 코발트, 텅스텐, 알루미늄, 구리 인터커넥트 같은 최첨단 금속 배선 공정부터 언더 범프 금속 배선 등 패킹 애플리케이션 분야까지...
어플라이드 Producer 플랫폼은 전 세계로 수천 대 시스템이 판매되었으며 업계에서 비용 효과가 가장 우수한 웨이퍼 공정 제품입니다. Producer 플랫폼의 혁신적인 트윈 챔버 구조는 최대 6개 웨이퍼를 동시에 처리할 수 있어 더욱 뛰어난...
