PrimeVision® 10 eBeam Inspection

PrimeVision 10

随着半导体器件和架构变得日益复杂并在垂直微缩上持续发展,在努力加快产品上市时间的同时,如何减少和控制缺陷就成为更大的挑战。工艺窗口在不断紧缩,但工艺流程却在不断增加,因而对二维和三维成像的灵敏度要求越来越高。识别关乎良率的缺陷变得愈发困难,因此,业内引进 eBeam 检测系统,在器件开发、工艺调试和控制上发挥更加重要的作用。尽管如此,当今的尖端芯片对 eBeam 检测系统的速度要求更高,速度较慢的传统 eBeam 系统远远无法胜任。

PrimeVision 10 eBeam 检测系统将新型冷场发射 (CFE) 技术与业界一流的背散射电子 (BSE) 检测相结合,在成像速度和灵敏度上实现了飞跃,可检测各类型缺陷:叠层中的隐蔽缺陷、深沟槽缺陷、纳米级图案偏差和电气缺陷。该系统采用更高电流密度的 CFE 对大面积区域进行成像,快速提供可操作的结果,从而加快量产过程中的工艺开发和工艺调试。同时,BSE 检测技术使芯片制造商能够检测出隐藏在多层结构内部的器件深层缺陷,并有助于将 3D 器件(例如全环绕栅极晶体管)投入大规模量产。

PrimeVision 10 系统采用多维度检测方案,可提供一流的成像效果。CFE 超越了采用热场发射(TFE)技术的传统检测系统在分辨率上的限制,能够以快得多的速度区分纳米尺寸的“致命”缺陷与虚假缺陷。 系统的高电流密度结合新型高功率激光器,实现了以更高的灵敏度、更快的电势差成像速度来检测短路、断路和漏电流。此外还有基于图形数据系统(GDS)的分档方案,将每项缺陷与其 GDS 位置相匹配,进一步提高了灵敏度,改善了分类准确性。