Centura^® Ultima HDP CVD^®

应用材料公司的 Centura Ultima HDP CVD 200 毫米和 300 毫米系统提供高密度等离子 CVD 工艺制程。该系统一直是行业领先的主力设备，可提供高质量的介电质薄膜沉积和无孔洞间隙填充工艺。它的反应器可帮助客户实现多代制造所需的产能、成本效益和可扩展性。

Ultima HDP 系统配备双 RF（射频）线圈，具有覆盖整个晶圆的出色间隙填充能力；其创新的静电卡盘系统能带来极佳的薄膜质量和均匀性；其远程等离子清洁系统可提供卓越的缺陷预防性能，并可降低设备清洗频率，增加晶圆产出（mean-wafer-between-clean, MWBC）。

该产品技术先进，既可沉积无掺杂薄膜，又可沉积掺杂薄膜，应用十分广泛，包括沉积浅沟槽隔离层（STI）、金属前介电质​层（PMD）、层间介电质层（ILD）、金属层间介电质层（IMD）和钝化保护层。它功能多样，可进一步拓展用于回蚀和高密度等离子处理，以提高薄膜质量。