AKT^®-PiVot^™ DT PVD

AKT-PiVot 25K DT PVD、55K DT PVD和100K PVD设备能在六代线(1500毫米x1800毫米)、八代线(2200毫米x2500毫米)以及十一代线(2940x3370mm²)的基板上沉积氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)和金属等薄膜晶体管的关键膜层和连接部分。AKT-PiVot卓越的均匀性、微粒控制能力及稳定的性能，可助力显示面板制造企业生产更高像素、更小晶体管和更高帧率的新一代电视面板。

独有的阴极旋转技术精准控制磁极以调整图层达到极致的稳定性和均匀度，尤其是mura-free的IGZO膜层将有效解决金属氧化物(MOx)LCD和OLED面板生产中的关键问题。此外，旋转技术将靶材使用率提高至70%以上，相较平面靶材大大节省了目标靶材的成本。当晶体管尺寸不断缩小而基板尺寸的增大，均匀性和微粒控制对良率的影响越来越大。这些设备配备了自清洁旋转靶材设计显著降低不良的产生。