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Olympia™

製程持續微縮推動元件效能邁向全新水準。ALD 對製造三維 NAND 和邏輯 FinFET 中越來越多的元件關鍵製程步驟至關重要。雖然使用 ALD 製程達到均勻一致的薄膜厚度,對臨界線寬控制仍然很重要,但 ALD 必須達到更多需求,以便能在新生代節點的有限熱積存內提供範圍越來越廣的高品質、穩固耐用的薄膜。

應用材料 Olympia™ ALD 系統可用來進行介電質和金屬薄膜單獨沉積,能解決新生代節點製造平面和三維元件的重大挑戰,在低沉積溫度中取得高品質的 ALD 薄膜沉積,提供了新型的高效能 ALD。