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Reflexion® LK CMP

應用材料 Reflexion LK 化學機械平坦化系統提供經生產驗證、高效能的平坦化解決方案,可供淺溝隔離層、氧化層、多晶矽以及鎢等應用。其高速平坦化機台和多區域研磨頭在低下壓力中,為 45 奈米以下元件世代擴展性能,提供優異的均勻度和高效率。

晶圓在化學機械平坦化後非常潔淨 (在 300 毫米晶圓上少於 100 項 45 奈米缺陷),若以整個地球的地面面積來說,殘餘的污染僅會覆蓋 0.3 英畝,相當於一座中型尺寸的郊區花園。

應用材料 Reflexion LK 化學機械平坦化系統亦涵蓋整套的端點反應法、內嵌量測技術以及先進的製程控制能力,可針對所有平坦化應用,確保絕佳的晶圓內和晶圓間製程控制和可重複性。系統採用獲得專利的 window-in-pad 技術,可在不影響產能的前提下,對每片晶圓進行精確的即時研磨控制。新型 FullVision™ 原位端點系統提供所有短暫和長期的介電層應用,採用寬頻帶分光鏡,能大幅提升 Cpk 並減少移動耗材配件和新的晶圓變異造成的晶圓刮痕。