互连线是连接晶体管和集成电路其他元件的导电金属线，对于微芯片的速度和可靠性有关键性作用。现代微处理器可以有多达十个互连线层，在整个芯片制造流程中，这种精密复杂的互连结构是工艺最密集（因而也是成本最昂贵）的一个部分。
Semiconductor scaling continues steadily into the single-digit nodes, setting increasingly demanding requirements for precision and...
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随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。
这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...
开创性的 Applied Centris 平台集成了多达八个工艺腔室 – 六个刻蚀反应腔和两个等离子清洗腔。 自动化机械臂可实现高速传送，使系统每小时可加工多达 180 片晶圆 – 速度几乎是同类竞争产品的两倍。
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随着半导体技术节点不断缩减，对芯片制造的精度和均匀性要求也越来越严格，从而推动了过去十年来硅刻蚀反应腔的首次全面重新设计。 由此打造的应用材料公司 Centris Sym3 系统，可在关键的刻蚀应用中以前所未有的强大芯片内特征控制能力，提供世界一流的跨晶圆均匀性，在 1x...
反应腔室采用先进材料，可实现“清洁模式”操作，从而降低设备拥有成本，提高产能。 此外，它还消除了第一晶圆效应，从而确保晶圆工艺的可重复性，这一点已获得生产验证。
AdvantEdge Mesa 在晶圆最外缘的刻蚀深度不均匀性 <1% ，且具有 <...
钨的电阻率低，电迁移性极小，长期以来一直在逻辑和存储器件中用作接触孔和中段（最底层）连接线（将晶体管与集成电路其余部分相连）的首选填充材料。在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，因而可以使用共形 CVD 沉积法进行钨填充集成。不过，在当前最先进的技术节点下，...
The system combines innovative ALD tungsten nucleation layer technology with the high-throughput Sprint CVD tungsten bulk fill process...
Endura Al Slab 物理气相沉积 (PVD) 系统可在逻辑和动态随机存储器 (DRAM) 器件的钨塞上沉积铝材料，以形成金属布线。 该系统可带来极佳的抗电迁移能力和表面形貌，拥有成本低，可靠性高。
Endura PVD Al Slab 系统将...
迄今为止，电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是，当节点小于 2xnm 时，即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺，覆盖完好无任何凸悬，也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。
通过革新用于氮化钛 (TiN) 薄膜的物理气相沉积 (PVD) 技术，Endura Cirrus HTX TiN 解决了下一代设备的硬掩膜可扩展性挑战。 随着芯片特征尺寸的进一步缩小，硬掩膜创新对于更复杂微小互连结构的精确图形化至关重要。 借助在 PVD...
EnCoRe II Ta(N) 腔的厚度调优功能使客户能够降低阻挡层的厚度，以便将线性电阻微缩到 3x/2x 节点的水平，同时通过出色的底部和侧壁覆盖层减少电迁移和应力迁移。对于铜晶种层，EnCoRe II RFX Cu 腔采用了创新的磁控运动、磁通量控制和高再溅射比机制...
通过在业内领先的 Endura 平台上集成，该系统的沉积工艺满足了可扩展铜阻挡层和铜铝或铜钨扩散阻挡层的需求。 Extensa TTN 提供了广泛的 PVD 制造能力，无需更改硬件即可在相同的腔体内实现钛、金属氮化钛 (TiN) 和完全氮化的 TiN 沉积，它还适用于...
钨已广泛用于逻辑接触体、中端和金属栅极填充应用中，因为它具有低电阻和保形批量填充性能。接触体和局部互连线在晶体管和其余的电路之间形成了临界电气通路。因此，低电阻率对于稳健和可靠的器件性能至关重要。然而，随着微缩继续进行，互联层尺寸开始缩小到某种程度，...
该系统以低成本高效的方式利用 ALD（原子层沉积）技术，通过 90% 以上覆盖超薄、均匀、优质的阻挡膜，将客户现有的 iLB PVD/CVD 安装基础扩展至 32nm 及之上。 它在沉积 TiN 膜时将等离子损伤或高介电材料属性不利变化的风险降到最小，...
BLOk 薄膜能够大幅降低介电薄膜叠层的电容，同时还可以保持出色的刻蚀选择比和电学性能，有利于进一步的 RC 缩放。久经验证的表面预处理和初始层工艺使 BLOk 很容易与 Black Diamond 薄膜集成，从而确保顺利向 45nm 及以下节点应用换代过渡。
Black Diamond II 纳米多孔低 K 薄膜是 45/32nm 铜/低 K 互联层的行业标准，其 K 值约为 2.5。 低k 制造纳米多孔的低 K 薄膜分为两个步骤，第一步为有机硅酸盐玻璃“脊骨” PECVD 和热不稳定有机相沉积，第二步为紫外线 (UV)...
制造纳米多孔的低 K 薄膜分为两个步骤，第一步为有机硅酸盐玻璃“脊骨” PECVD 和热不稳定有机相沉积，第二步为紫外线 (UV) 固化，该步骤可以除去不稳定相，从而诱导空隙形成，并重建和强化其余的二氧化硅矩阵，以形成最终的纳米多孔薄膜。
新一代的 Black...
在集成电路中，载流铜线通过电介质(不导电）材料绝缘。随着半导体器件的微缩，电解质也必须相应地微缩，提升器件运行速度的能力受到了电解质介电常数 (k) 的显著影响。芯片制造商已逐渐降低氧化硅绝缘薄膜的 k 值：在 180nm 节点工艺中，添加氟将 k 值从 4.0 降至 3...
RAIDER ECD 系统占地面积小、产能高，适用于 150mm-300mm 单晶圆、自动化、多腔室电化学沉积。
300mm 晶圆电镀采用增强型腔室反应器，能够动态改变电流密度，达到无与伦比的沉积均匀度。多区阳极阵列便于在超薄和电阻性种子层上电镀。...
Raider GT ECD 系统可用于存储器件和逻辑器件中的铜互连间隙填充，它采用动态电流控制技术和微秒级配方控制，可采用的工艺化学材料也极其广泛（低到高槽液电导率）。这些特点是其能够提供极佳的小特征填充能力和整个晶圆沉积均匀性的关键。在晶圆进入溶液以及整个沉积过程中，...
Raider M 是自动化、高性能单晶圆 ECD（电气化学沉积）系统。它配备精密的全自动晶圆搬运系统以及独立工艺腔室，并与自动化化学管理系统兼容。在 Raider M 平台上开发的工艺和配方可直接转用于 Raider GT ECD 量产制造系统，...
Raider M-Quattro 是一种高性能单晶圆 ECD 系统，配备全自动精确晶圆搬运功能和多个工艺腔室。在 Raider M-Quattro 平台上开发的新兴工艺和配方可直接转用于 Raider GT ECD 量产制造系统中，从而实现从研发到全面投产的快速无缝过渡...
CMP 之后的晶圆非常洁净（300 mm 晶圆的 45nm 缺陷少于 100 个），洁净率相当于整个地球表面仅有 0.3 英亩（中等郊区花园的面积）的污染物。
应用材料公司的 Reflexion LK CMP 系统采用全套端点方法，...
