VIISta^® Trident^™

チップの複雑化に伴い、注入ステップ数も増加しています。今日、メモリを内蔵したCMOS集積回路では、注入工程が60以上にも達し、これらの工程の多くがデバイス性能を大きく左右します。

新しいVIISta Tridentシステムは、半導体業界で最も高度な枚葉式の大電流イオン注入ソリューションです。このシステムは、VIISta高電流イオン注入プラットフォームの生産実証済みシングルウェハ・アーキテクチャを活用して、エネルギー純度、均一性、角度および線量率制御の新しい基準を設定し、高度なノード要件を高歩留まりで最高の生産性で実現します。

Tridentプラットフォームでは、デュアルマグネットリボンビームアーキテクチャと革新的なエネルギー純度モジュール（EPM）を組み合わせ、精確かつ制御された注入プロフィールを提供します。EPMはまた、ビームラインエレメントで生成されるパーティクルを効果的に除去して、ウェーハをこのようなコンタミネーションから隔離します。VIISta Tridentプラットフォームは、独自のクローズドループ制御システムを使用してビーム角度を測定、修正する唯一の高電流システムで、ゼロ角度（True Zero）および正確な高傾斜角注入を実現する、極めて正確で再現性の高い入射角制御を提供します。