skip to main content

Varian VIISta® Trident

チップの複雑化に伴い、注入ステップ数も増加しています。今日、メモリを内蔵したCMOS集積回路では、注入工程が60以上にも達し、これらの工程の多くがデバイス性能を大きく左右します。

Tom Parrillが、イオン注入の役割と最先端のトランジスタ向け低温注入機能を備えたTridentシステムについて説明します。

新しいVIISta Tridentシステムは、半導体業界で最も高度な枚葉式の大電流イオン注入ソリューションです。このシステムは、VIISta高電流イオン注入プラットフォームの生産実証済みシングルウェハ・アーキテクチャを活用して、エネルギー純度、均一性、角度および線量率制御の新しい基準を設定し、高度なノード要件を高歩留まりで最高の生産性で実現します。

Tridentプラットフォームでは、デュアルマグネットリボンビームアーキテクチャと革新的なエネルギー純度モジュール(EPM)を組み合わせ、精確かつ制御された注入プロフィールを提供します。EPMはまた、ビームラインエレメントで生成されるパーティクルを効果的に除去して、ウェーハをこのようなコンタミネーションから隔離します。VIISta Tridentプラットフォームは、独自のクローズドループ制御システムを使用してビーム角度を測定、修正する唯一の高電流システムで、ゼロ角度(True Zero)および正確な高傾斜角注入を実現する、極めて正確で再現性の高い入射角制御を提供します。

Tom Parrillが、イオン注入の役割と最先端のトランジスタ向け低温注入機能を備えたTridentシステムについて説明します。