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Olympia™ ALD

製程持續微縮推動元件效能邁向全新水準。ALD 技術對製造DRAM、三維 NAND 和邏輯 FinFET 中越來越多的步驟至關重要。雖然使用 ALD 製程達到均勻一致的薄膜厚度,對臨界線寬控制仍然很重要,但 ALD 必須達到更多需求,以便能在有限熱積存內提供範圍越來越廣的高品質、穩固耐用的薄膜。

應用材料 Olympia™ ALD 系統可用來進行介電質薄膜單獨沉積,透過提供無與倫比的排序功能,能解決製造平面和三維元件的重大挑戰,在低沉積溫度中取得高品質的 ALD 薄膜沉積。。靈活的設計也使系統能夠適應多種先驅物,這樣才能提供高品質、多樣化、多種工作溫度的 ALD 製程。

在 Olympia 反應室中,晶圓會旋轉通過不同化學物隔離區。在這裡,每個晶圓依次暴露於兩種化學物中,這些化學物在晶圓表面反應,以形成均勻的單層薄膜。然後,每經過一個暴露週期再沉積一層薄膜。處理製程可併入程序中,以滿足特定客戶的需求。
 

Olympia ALD 系統的獨特之處在於創新的化學物管理,這能確保沉積製程中使用的個別先驅物會絕對隔離。此獨特功能最大限度避免產生潛在的有害副產物和微粒 (可能在化學物自由混合時形成)。最後,系統會產生非常少的缺陷,可在兩個反應室清潔過程中運行很長一段時間。此外,系統避免了每次化學反應後的抽吸/沖洗步驟,相比時間分散的傳統 ALD,能夠將產能提升 50% 以上。