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半導体

Producer® Selectra™ Etch

Producer® Selectra™ Etch システムは、3D ロジックおよびメモリチップのさらなるスケーリングにおいて、ムーアの法則を継続していく、前例のない能力を提供します。同プロセスでは、一層から複数層まで、これまでにない選択制で膜上の目標物質を除去します。

チップ設計においてフィーチャーはますます小さく、アスペクト比は高くなり、先進の集積回路では、より高密度にパッケージされています。デバイスが精確にパターニングされ、クリーンであることは、究極の信頼性と性能を得る上で非常に重要です。不完全な異物の除去や、不適切な選択制による限界寸法（CD）の拡大は、デバイスの性能や歩留まりに悪影響を及ぼします。高アスペクト比のフィーチャーにおけるパターンの変形（ラインの屈折やパターンの崩れ）は、次世代デバイスの歩留まりにも影響を及ぼす可能性があります。

Selectra プロセスは、これらの問題をすべて解決します。独自のプロセスにより、先進の FinFET に対しては原子レベルで制御されたエッチングを行い、3D NAND の凹部を均質化し、高アスペクト比の DRAM 構造を傷めずにクリーニングすることができます。

同システムは、さまざまな絶縁体、金属、および半導体の膜を原子レベルの精密さで取り除く、調節可能な選択性を達成するために、ラジカルベースの化学薬品を採用しています。このテクノロジーは、今日の FinFET デバイスの限界を拡張し、未来のゲートオールアラウンド構造を可能にすることにより、ムーアの法則を推進し続ける中で重要な役割を担います。

従来の選択制の低いプロセスでは、NAND スタックの下部よりも上部により多くのタングステンの凹部が形成され、デバイス性能の低下につながっていました。
タングステン選択性により、Selectraプロセスでは3D NAND スタック全体で非常に均一な凹部エッチングを生成するように調整することができます。

ウェットエッチングの際、材料選択性が低いと、円筒形DRAMコンデンサのすべての層が広くなり、直径が大きくなってしまいます。
Selectraプロセスは円筒の直径を大きくすべき層にのみ、選択的に作用させることができます。
クリスタルプレーンに依存したウェットエッチング工程では、先進のロジックトランジスタの小さな空間に、ポリシリコンが残ってしまいます。
Selectraプロセスは、ポリシリコンの残滓をすべて取り除き、ゲート酸化膜フィーチャーをクリーンで、メタルゲート成膜が可能な状態にします。
ウェットエッチング後の乾燥工程において、毛管引力（スティクション）がアスペクト比の高いフィーチャーの崩れを引き起こします。
Selectraの完全にドライなプロセスでは、壊れやすいフィーチャーの構造が保全されます。