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Olympia™ ALD

継続的なプロセスの微細化がデバイス性能を向上させる中で、ALD技術は、増え続けるDRAM、3D NAND、またロジックにおけるFinFET技術の製造工程で非常に重要になってきています。ALDが実現するコンフォーマルで均一な膜厚は、CD制御に必須ですが、それに加えて、サーマルバジェット制約内で多様な品質の高い、堅牢な膜の形成への要求が高まっています。

Applied Olympia™ ALD装置は、絶縁膜のスタンドアロン成膜装置として、独自のプロセスシーケンス機能により、平面構造や3次元構造のデバイス製造において課題となる低温での高品質なALD成膜を実現します。柔軟なモジュール設計により、ALDプロセスの品質、多様性、サーマルレンジを可能にする様々な種類のプリカーサに対応します。

Olympiaチャンバでは、ウェーハは異なる化学物質ごとに分けられたゾーンの中を順に回ります。各ウェーハは、2つの化学物質に順番に露出されます。これらの化学物質はウェーハの表面で反応し、コンフォーマルな単層膜を生成します。各照射サイクルごとに、単層膜が堆積されます。処理プロセスをシーケンスに組み込むことで、お客様の個別のニーズに対応します。
 

Olympia ALD装置は、成膜プロセスで使用される個々のプリカーサを確実かつ完全に分離する、革新的な物質管理によって差別化を図っています。この独自の機能により、化学物質が自由に混ざった場合に生成される副生成物やパーティクルを最小限に抑えることができます。このため、本装置では、欠陥が非常に少なく、チャンバ洗浄間隔を延ばすことができるので、稼働時間が長くなります。さらに、各プロセス後のポンプ・パージステップを取り除くことにより、これまでのALDに比べて、50%以上の生産性を向上することが可能です。