CVD

化学気相成長（CVD）は、フラット パネル ディスプレイ（FPD）メーカーによって使用され、一般に「フィルム」と呼ばれる、層のほとんどを成膜します。フィルムは、誘電体（絶縁体）または半導体（不完全導体）として機能します。

CVD成膜では、堆積する物質の構成原子または分子を含むガスがプロセスチャンバーの制御された環境に導入されます。反応性ガスはRFプラズマ中で解離され、反応性ラジカルまたはイオンが形成され、加熱された基板上の薄膜に対して化学反応を受けます。

CVDフィルムにはいくつかの種類があります。薄膜トランジスタ-液晶ディスプレイ（TFT-LCD）で最も一般的に使用されるのは、次のとおりです。

• 二酸化ケイ素 (SiOx)
• 窒化ケイ素 (SinX)
• アモルファスシリコン (A-si)
• 低温ポリシリコンプリカーサ

二酸化ケイ素および窒化ケイ素誘電体は、TFT構造内の絶縁体として、また不完全導体として作用します。アモルファスシリコンおよびポリシリコンは、TFT内の半導体部分導体として作用します。