Endura^® CuBS RFX PVD

应用材料公司的 Endura CuBS（铜阻挡层/种子层）RF XT PVD 系统用于 3x/2x 及更先进节点的逻辑和存储器件应用。SIP（自离子化等离子体）EnCoRe II Ta(N) 阻挡层和 EnCoRe II RFX 铜晶种层处理室采用高电离 PVD 技术，该技术能够以最小的悬突和光滑的形态实现完全覆盖的低温薄膜沉积。

EnCoRe II Ta(N) 腔的厚度调优功能使客户能够降低阻挡层的厚度，以便将线性电阻微缩到 3x/2x 节点的水平，同时通过出色的底部和侧壁覆盖层减少电迁移和应力迁移。对于铜晶种层，EnCoRe II RF XT Cu 腔采用了创新的磁控运动、磁通量控制和高再溅射比机制，以进一步增强同形覆盖。

这些技术缓解了会降低金属空隙填充品质的问题，如晶圆边缘的线端孔隙或 CMP 处理后的缺陷。

为解决随几何尺寸缩小而日益重要的界面问题，应用材料公司提供了各种预清洁技术，以便在不影响关键尺寸或材料特性的前提下，确保界面完整性。Endura CuBS RF XT 系统采用了新型 Aktiv Preclean [腔体或工艺] 方法，该方法提供了突破性的预清洁技术，以便有效地去除聚合物残留和减少 CuO，同时保护多孔的低 k 级间介电薄膜，如Black Diamond® II。和传统的反应性预清洁方法不同的是，Aktiv Preclean 工艺不会明显改变 k 值，所以这便于向下一代低 k 介电层过渡。

应用材料公司的 Endura CuBS RF XT PVD 系统在高真空条件下依次沉积 Ta(N)/Ta 阻挡层，然后沉积铜种子层。通过在 Endura 平台上整合全系产品（包括新型 Aktiv Preclean），可确保出色的膜层附着力和无氧化物界面，同时保持 k 值完整性，以实现低通孔电阻和高器件可靠性。