Applied Producer^™ XP Precision^™ Draco^™ CVD

当今全球的数字化转型推动了对更低成本、更高密度 DRAM 芯片的需求，特别是在数据中心服务器应用领域。然而，物理上的设计局限限制了 DRAM 的缩放，无法跟上人工智能、5G、物联网和其他数据密集型计算应用不断增长的内存需求。

应用材料公司的 Producer XP Precision Draco 硬掩模解决了 DRAM 存储电容器缩放上的一个关键限制。

电容器为直径约 30纳米的超小型结构。它的电容与它的体积成正比。当电容器直径随着缩放而缩小时，必须增加其深宽比以保持电容不变。但是，随着电容器通孔越来越深，高能离子在刻蚀通孔时也会刻蚀到硬掩模。深宽比越高，在完全形成电容器孔之前，硬掩模遭到腐蚀进而损坏器件的可能性就越大。

Draco 硬掩模采用一种新材料解决了这一问题，这种材料的选择性比传统 DRAM 电容器硬掩模高 30％ 以上。它可以将沉积的硬掩模厚度减少 30％，从而缩小电容器的深宽比，降低刻蚀工艺的难度。

Draco 硬掩模与应用材料公司的的 Centris Sym3 Y 刻蚀系统一起协同优化，该系统经过特别调整以适合刻蚀这种新型材料，可将本地 CD 均匀性提高 50％，将桥接缺陷（短路）减少 100倍，从而提升良率。