Olympia™

製程持續微縮推動元件效能邁向全新水準。ALD 對製造三維 NAND 和邏輯 FinFET 中越來越多的元件關鍵製程步驟至關重要。雖然使用 ALD 製程達到均勻一致的薄膜厚度，對臨界線寬控制仍然很重要，但 ALD 必須達到更多需求，以便能在新生代節點的有限熱積存內提供範圍越來越廣的高品質、穩固耐用的薄膜。