半導體製造中採用磊晶,不是用以製造完美的晶體基底層以打造半導體元件,就是用以改變底層機械特性以提升傳導性。
CMOS 技術需要兩種類型的電晶體:PMOS和NMOS。前者可受益於向通道施加壓縮應變 (擠壓晶格),這不僅可以縮短縱距、增強原子間的鍵結耦合,而且促進電洞遷移。NMOS 則需要伸長應變 (拉長晶格),以便增加縱距並減低會影響遷移之電子碰撞...
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