半導體製造中採用磊晶，不是用以製造完美的晶體基底層以打造半導體元件，就是用以改變底層機械特性以提升傳導性。
CMOS 技術需要兩種類型的電晶體：PMOS和NMOS。前者可受益於向通道施加壓縮應變 (擠壓晶格)，這不僅可以縮短縱距、增強原子間的鍵結耦合，而且促進電洞遷移。NMOS 則需要伸長應變 (拉長晶格)，以便增加縱距並減低會影響遷移之電子碰撞...
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