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CVD

CVD (化學氣相沉積) 製程可作各類廣泛的應用。範圍從電晶體結構內和形成電路的導電金屬層之間的圖案化薄膜到絕緣材料。

這些應用包含淺溝隔離層、金屬前介電質層、金屬層間介電質層和鈍化保護層處理。CVD 製程對應變工程也很重要。應變工程是運用壓縮應力或伸長應力薄膜透過提升傳導性來增進電晶體效能。應用材料多樣性的解決方案能夠滿足關鍵需求:如在具備各種特性剖面的複雜拓樸圖上達到無縫隙填充;生產更低的低電容材料以提高電晶體速度;以及具備先進行動技術中所需的耐變性,可支持採用晶圓封裝技術而多增加的製程步驟。