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ALD

現代化微處理器內的電晶體非常微小,電晶體中的關鍵薄膜層甚至只有幾個原子的厚度,光是英文句點的大小就夠容納一百萬個電晶體還綽綽有餘。ALD 是使這些極微量結構越來越普遍的一種技術。

 

ALD 製程會直接在晶片表面逐漸形成物質,一次形成一小部份單層,以便生產出最薄、最均勻的薄膜。製程的自限特性以及均勻沉積的相關能力是成為微縮與三維推手的重要基礎。自限式表面反應讓原子級沉積控制成為可能:薄膜厚度僅取決於執行的反應週期數。表面控制會使薄膜厚度上極為一致與均勻,這些是新興三維元件設計極為重要的特性。

在影片中,應用材料公司 ALD 化學研究負責人 David Thompson 博士說明了 ALD 如何運作,並探討將 ALD 應用到高容量晶片製作所面臨的具體挑戰。