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建立與沉積材料

應用材料擁有業界最廣泛的技術套件,可在晶圓表面上建立並準確沉積材料層。這為產業帶來了精確控制的薄膜,其中部分薄膜的厚度與單原子層一樣薄。在半導體製造過程中,沉積的材料包含諸如氮化矽絕緣體、諸如銅和鎢導體、以及諸如鐵磁材料化合物。我們的系統技術透過「微調」前驅物材料及製程參數(例如溫度、壓力、電場和磁場、電漿、流量和時間)來打造材料特性。

我們的系統產品組合提供了多種沉積法,可針對薄膜特性進行特定調整。在物理氣相沉積 (PVD) 中,材料在高真空下從高純度靶材濺射到基板上。在化學氣相沉積 (CVD) 中,化學前驅物被導入到製程反應室,熱能或電漿在此處引發化學反應,將反應的副產物沉積在基板上。原子層沉積 (ALD) 的工作方式是依照自訂的順序導入反應氣體,並在每個循環中僅沉積單一原子層。在選擇性沉積中,材料精確地沉積在目標區域,而不會接合在其他區域。由於線寬尺寸縮小,傳統的多階段製造方法變得不切實際,而選擇性沉積則成為實現微縮的重要方式:例如,選擇性沉積可以去除襯墊層/阻擋層的「模具」需求,在現今不斷縮小的導孔與通道中最大化目標薄膜的體積。選擇性磊晶可用來形成高品質的薄膜,以調節電晶體通道區域中的應力,進而最佳化性能與功率。

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