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Reflexion® LK Prime™ CMP

此系統具備六個研磨站和八個整合式清潔站,並有先進的製程控制,能提供這些三維應用所需的精密製程,且達到無與倫比的均勻度和高產量。上一代機台為 7 個機站),且有最佳化的晶圓處理能力,可在許多應用達到以前晶圓產能的二倍,並使生產率提高達 100%。

每個研磨站和清潔站可獨立靈活使用,可彈性進行序列、並列或分批程序,而且可大幅度制訂化每個平台。例如,較厚的薄膜層和起伏大的三維 NAND 表面形貌需要長時間的穩定研磨。透過在多個平台上進行一系列較短時間的研磨,即可達到穩定、可預測的平坦化處理。這樣做有助進行晶圓效能最佳化,並可減少缺陷。專門的研磨頭、加強的即時輪廓與端點控制,有助於達到精密的製程控制和可重複性,並滿足未來的元件技術節點要求。