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Producer® Black Diamond® PECVD

Applied Producer Black Diamond 3 產品系列擴展了應用材料奈米介電值多孔介電質薄膜技術的領先地位,將先進導電層結構微縮至 28 奈米及以下節點。

拉斯·佩里 (Russ Perry) 解釋低介電值薄膜的演變和最新的 Black Diamond 介電質系列產品的優勢。

Black Diamond II 奈米多孔低介電值薄膜是 45/32 奈米銅/低介電值導電層的業界標準,其介電值約為 2.5。 低k 製造奈米多孔低介電值薄膜的製程為兩階段,包括以 PECVD 法沉積有機矽玻璃「支柱」及熱不穩定的有機相,然後以紫外缐 (UV) 固化去除不穩定相部分 (因而產生多孔性),結構重組後強化了餘留的矽氧矩陣結構而形成奈米多孔性薄膜。

新生代 Black Diamond 3 薄膜更將此領先業界的技術延伸至超低介電值 (ULK) 薄膜 (k~2.2),可微縮至 22 奈米及以下節點,並改善元件速度。同時也具備先進封裝技術所需要的機械強度 (硬度及彈性)。此薄膜在蝕刻並除去光阻劑後,具有優秀的抗溼性、介電值穩定度,且有極佳的機械強度。

Producer Black Diamond 3 系統設計可以搭配 Applied Producer Nanocure™ 3 UV 固化系統使用。Nanocure 3 系統利用高密度紫外線源,使 Black Diamond 3 薄膜達到穩定性和緻密性要求,以提供最佳的機械與光學性能。

經過這個兩階段的沉積及固化製程所產生的薄膜,機械強度為應用材料過去成功生產的二代 Black Diamond 薄膜的兩倍,元件變異性降低,晶片良率提高。