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Centura® DPN HD 高純度解耦電漿氮化閘極堆疊

Centura DPN HD (高劑量) 系統包括整合在 Centura 主機的電漿氮化及氮化後退火 (PNA) 反應室。此系統可將 DPN (解耦合電漿氮化) 產品的氮化技術擴展至動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的外圍閘極,並且補足了應用材料在邏輯元件上長期領先的氮化技術。

在 DPN HD (高純度解耦電漿氮化) 氮化過程中,用低能量脈衝式電漿將氮注入氧化矽介電質,在閘極堆疊的氮氧化物/多晶矽介面產生所需要的高氮濃度,並維持在矽/氮氧化物介面的低氮濃度,以維持高通道遷移率。新的化學材料以及直接高溫晶圓加熱,可以達到 3X 及 2X 奈米節點氮氧化物閘極所需要的較高劑量的氮濃度,藉以達成優異的漏電及臨界電壓性能。傳統的氮化製程無法達到所要求的漏電及臨界電壓標準。

在氮化處理後,氮氧層中之氮原子濃度會隨著時間逐漸降低。由於 DPN HD 系統將 PNA (氮化後退火) 和 DPN (去耦合電漿氮化) 反應室整合在單一真空環境中,此一系統可以在氮化製程之後馬上進行高溫退火,便能減緩氮的損失。另外,將電漿氮化和 PNA 反應室整合在同一平台上,也可消除時間相關的製程變異,提供了製作氮氧化物閘極所必需的一種較穩定且耐用的製程。PNA 也能避免在氮化過程中產生會導致臨界電壓變化的不穩定鍵結相。由於能減少或消除這個不穩定的鍵結相,PNA 將有助於改善元件性能。