Raider 单晶圆电镀系统产量高，广泛适用于晶圆级封装、镶嵌互连及 TSV 应用领域的各种电镀工艺。为满足各个细分市场的具体要求，Raider 能针对特定应用的加工工艺进行配置，以提供最佳性能。
RAIDER ECD 系统占地面积小、产能高，适用于 150mm-300mm 单晶圆、自动化、多腔室电化学沉积。
300mm 晶圆电镀采用增强型腔室反应器，能够动态改变电流密度，达到无与伦比的沉积均匀度。多区阳极阵列便于在超薄和电阻性种子层上电镀。...
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Raider GT ECD 系统可用于存储器件和逻辑器件中的铜互连间隙填充，它采用动态电流控制技术和微秒级配方控制，可采用的工艺化学材料也极其广泛（低到高槽液电导率）。这些特点是其能够提供极佳的小特征填充能力和整个晶圆沉积均匀性的关键。在晶圆进入溶液以及整个沉积过程中，...
Raider M 是自动化、高性能单晶圆 ECD（电气化学沉积）系统。它配备精密的全自动晶圆搬运系统以及独立工艺腔室，并与自动化化学管理系统兼容。在 Raider M 平台上开发的工艺和配方可直接转用于 Raider GT ECD 量产制造系统，...
Raider M-Quattro 是一种高性能单晶圆 ECD 系统，配备全自动精确晶圆搬运功能和多个工艺腔室。在 Raider M-Quattro 平台上开发的新兴工艺和配方可直接转用于 Raider GT ECD 量产制造系统中，...
Raider-S 是用于 TSV 和晶圆级封装应用的量产单晶圆电镀机台。它配备精密的全自动晶圆搬运系统以及独立工艺腔室，并与自动化化学管理系统兼容。
功能特性
