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ALD

现代微处理器内的晶体管非常微小,晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度,光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余。ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术。

 

ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成最薄、最均匀的薄膜。工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力,是其成为微缩与 3D 技术推动因素的基础。自限式表面反应让原子级沉积控制成为可能:薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数。表面控制会使薄膜保持极佳的共形性和均匀厚度,这两点是新兴 3D 器件设计的必备特性。

在视频中,应用材料公司 ALD 化学研究负责人 David Thompson 博士解释了 ALD 的工作原理,探讨了将 ALD 应用到芯片量产制作所面临的具体难题。