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图形化

图形化

图形化使多代的二维微缩得以实现。过去,图形化依靠一系列相对简单的光学掩模和光刻步骤来印刷图形,以引导后续的材料去除和沉积等工艺。近年来,光刻技术的发展并没有与芯片设计的发展保持同步。

即使在新一代 EUV 光刻技术提上发展日程时,芯片制造商仍在使用具有成本效益的自对准多图形化技术,利用间距倍增技术从一次光刻传递中创建两条或四条线。无论是否使用 EUV,芯片制造商都要克服边缘放置误差这一难题,以使一层中的特征与另一层中的互补特征正确对齐。材料工程可以发挥有利作用,提供更宽的着陆区,从而容许本会对良率产生不利影响的对准偏差。

随着光刻成本的增加,存储器设计人员已着手构建三维器件,采用三维堆叠,而不是二维微缩来降低成本,即通过增加每立方毫米的位数而不是每平方毫米的位数来降低成本。

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