前沿逻辑芯片设计
晶体管是芯片上最主要的部分,也是提高芯片速度的关键。芯片制造商不断改进设计、缩小器件尺寸,使每平方毫米的硅片上能够密集地排布更多器件。然而,要让这些晶体管在更先进的技术节点下可靠工作,还必须引进新的材料和设计。
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前沿存储芯片设计
在人类遵循摩尔定律近40年后,用减小特征尺寸(称之为“按比缩小”)的方法增加传统二维存储芯片的容量变得非常困难。例如,先进的25nm闪存芯片存储每一个信息位用大约100个电子。在成百上千万次读/写周期内可靠地包容这些电子是一个重大挑战——也是一个重大成就。
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先进互连工艺
互连就是将晶体管与其它电路元件互相连接并通向外界的电气通路,这对于微芯片的速度和可靠性是至关重要的。现代微处理器有多达10层的互连布线,这种错综复杂的结构是整个芯片制造过程中工艺最密集(因而是最昂贵)的部分之一。
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硅片级封装
三维集成电路(3D-ICs)是应用材料公司技术发展的一个新兴领域。这是一种硅片级的芯片封装,旨在简化制造工艺。三维集成电路中,多个芯片垂直堆叠于单一封装内,在较小面积上提供更高性能和功能。芯片的电连接采用TSV (硅通孔)技术。
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