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Varian VIISta® Trident

随着芯片设计的日益复杂,所需的离子注入工序亦相应增加。当今,采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道,其中很多工序对器件的性能至为重要。

Tom Parrill 介绍离子注入和 Trident 低温注入系统在尖端晶体管发展方面的推动作用。

该系统采用 VIISta 高电流离子注入平台经生产验证的单晶圆架构,为能量纯化、均匀度以及角度和剂量率控制确立了全新标准,可满足先进节点要求,成品率高,最大程度提升生产效率。

Trident 平台将双磁铁带状束流架构与创新的能量纯化模块 (EPM) 相结合,提供可控的精准注入形貌。能量纯化模块 (EPM) 亦可有效过滤束线元件产生的微粒,将晶圆与污染物有效隔离。VIISta Trident 平台采用独特的闭环控制系统,是唯一可测量和修正束流角度的高电流系统,能够提供高度准确、可重复的入射角控制,达到真正的零度角和精准的高倾斜角度注入。

Tom Parrill 介绍离子注入和 Trident 低温注入系统在尖端晶体管发展方面的推动作用。