skip to main content

Varian VIISta® Trident

随着芯片设计的日益复杂,所需的离子注入工序亦相应增加。当今,采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道,其中很多工序对器件的性能至为重要。

Tom Parrill 介绍离子注入和 Trident 低温注入系统在尖端晶体管发展方面的推动作用。

该系统采用 VIISta 高电流离子注入平台经生产验证的单晶圆架构,为能量纯化、均匀度以及角度和剂量率控制确立了全新标准,可满足先进节点要求,成品率高,最大程度提升生产效率。

Trident 平台将双磁铁带状束流架构与创新的能量纯化模块 (EPM) 相结合,提供可控的精准注入形貌。能量纯化模块 (EPM) 亦可有效过滤束线元件产生的微粒,将晶圆与污染物有效隔离。VIISta Trident 平台采用独特的闭环控制系统,是唯一可测量和修正束流角度的高电流系统,能够提供高度准确、可重复的入射角控制,达到真正的零度角和精准的高倾斜角度注入。

The VIISta Trident Crion™ configuration enhances the Trident platform with enhanced cryogenic implantation capabilities, including more efficient wafer cooling and improved temperature control, that enable damage engineering and precision materials modification applications at up to 50% higher throughput. At advanced nodes, dopant activation and elimination of end-of-range defects become significant challenges that can impede the scaling of high-performance chips. The Crion system retains the integrated wafer-cooling station from the preceding PTC II XP that eliminates pre-implant wait time.

目前,VIISta 高电流系列系统已为全球多家尖端存储器、逻辑元件及晶圆代工制造商用于生产制造。