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VIISta® 900 3D

维利安的 VIISta 900 3D 系统延续了用于量产制造的维利安中等电流离子注入机 VIISta 900 XPT 的行业旗舰优势。新系统可满足不断升级的注入(或掺杂)精度要求,以及在制造 2xnm 以下节点的新兴 3D 器件架构时的零缺陷性能要求。其束线架构专门采用了必要的角度精度和束形控制设计,以便在逻辑 FinFET 和 3D 存储结构的各种应用中实现精确的掺杂物布置和最小的晶圆内与晶圆间变异性。此外,这些功能还有利于 CMOS 图像传感器技术以及最先进的平面结构。

新系统充分利用了 VIISta 平台束线架构经过验证的世界一流微粒控制性能。过滤器磁铁从根源去除了大部分不需要的沉积物。三磁铁架构可提供最洁净的中等电流系统束线,在离子束到达晶圆前很好地去除所携带的金属、微粒、交叉物和污染物。直角和束形控制的独特组合提高了注入精度,闭环微观和宏观均匀度测量最大程度地降低了注入变异性。可重复和精确的注入角控制,是先进节点器件的重要参数,在这类器件中,即便最小的变异也可能严重影响成品率。这些控制技术将垂直与水平角精度提高到 0.1º,相比前代产品,提升幅度达到了两倍。

控制晶体损伤对 3D 器件的性能与功耗至关重要。VIISta 900 3D 系统的两个功能可最大限度减少了此类损伤。首先,在离子注入过程中,集成的热注入功能可维持硅和高迁移率沟道材料的结晶度。以更高的温度注入,可消除 3D 结构中的角部缺陷和生长缺陷,改善掺杂剂活化,并减少缺陷所引起的器件漏电流。其次,可控的射束密度调制(剂量率控制)使用户可以针对给定的配方进一步减轻晶体损伤。

增强的束形和剂量控制,使得可以采用经过最新优化 SuperScan™ 功能。该功能通过纠正注入之外的上游工序所引起的不均匀性来提高器件性能与成品率。借助新的 SuperScan 3 算法,几乎可以为任何所需的图形定制剂量射送,而无需旋转晶圆。系统最多可支持七个不同的区域(区域剂量比率可达 7:1),同时在不同的区域保持极佳的剂量精度和均匀性。