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Reflexion® LK Prime™ CMP

该系统配备六个抛光站和八个集成式清洗站,并采用先进的工艺控制,能够以无与伦比的的均匀度和高产能实现这些 3D 应用所需的精确加工。为 14 比 7)以及经过优化的晶圆搬运功能,从而能够在诸多应用中实现比上一代高一倍的晶圆产能,生产效率提高达 100%。

每个抛光站和清洁站可独立使用,这种灵活性便于灵活运行序列、并行或分批工艺流程,而且可对每个转盘进行更深入的定制。例如,较厚的薄膜层和起伏大的 3D NAND 表面形貌需要长时间的稳定抛光。通过将这类抛光分成在多个转盘上进行的一系列短时抛光来完成,可实现稳定、可预测的平坦化处理。这样有助于优化晶圆性能,减少缺陷。专用抛光头和增强的实时形貌与端点控制,有助于实现精确的工艺控制和可重复性,从而满足未来的器件节点要求。