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Reflexion® LK CMP

CMP 之后的晶圆非常洁净(300 mm 晶圆的 45nm 缺陷少于 100 个),洁净率相当于整个地球表面仅有 0.3 英亩(中等郊区花园的面积)的污染物。

应用材料公司的 Reflexion LK CMP 系统采用全套端点方法,提供同线度量和先进的工艺控制能力,确保出色的晶圆内和晶圆间工艺控制和可重复性,适合所有平坦化应用。该系统采用获得专利的 window-in-pad 技术,可在不影响产能的前提下,对每枚晶圆进行精确的实时研磨控制。新的 FullVision™ 原位端点系统采用宽带分光术,适用于所有 stop-in 和 stop-on 介电质应用,可大幅提高工艺能力指数 (Cpk),最大程度减少因耗材组及引入晶圆的变化所引起的晶圆碎片。