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Raider® GT ECD

随着特征尺寸继续微缩至 10nm 以下和深宽比的增加 (>5:1),要实现无暇填充,需要在由下而上的填充与侧壁抑制之间取得平衡,这对行业来说是一个挑战。此外,更薄的籽晶层、更高的电阻和更高的器件密度使在整个晶圆上获得一致的沉积(用于实现高器件成品率)变得更加困难。上层金属堆叠需要使用其他金属化技术,如使用钴而不是铜。

批量金属化

Raider GT ECD 系统可用于存储器件和逻辑器件中的铜互连间隙填充,它采用动态电流控制技术和微秒级配方控制,可采用的工艺化学材料也极其广泛(低到高槽液电导率)。这些特点是其能够提供极佳的小特征填充能力和整个晶圆沉积均匀性的关键。在晶圆进入溶液以及整个沉积过程中,系统能够动态且迅速地调整和控制电流密度,这是 Raider GT 技术的核心所在。

GT 系统具备可扩展性,可以高生产效率和低拥有成本进行亚 20nm 小特征填充。Raider GT 采用独特的灵活设计,使一部分系统能够运行第二种化学工艺。系统可同时运行两种化学工艺,而且能够以最短的停机时间来更改配置,从而以最高生产效率来运行单一化学工艺。