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Olympia™ ALD

持续的工艺缩放将器件性能不断推向新的水平。ALD 对 3D NAND 和逻辑 FinFET 制造中越来越多的器件关键工艺步骤至关重要。然而,尽管借助 ALD 所实现的保形性和一致的薄膜厚度对于 CD 控制仍然至关重要,但也对 ALD 提出了新的要求,以便在下一代节点的有限热预算中提供范围越来越广的高品质、强健的薄膜。

应用材料公司的 Olympia™ ALD 系统提供新型高性能 ALD 工艺,能够单独沉积介电层和金属薄膜,解决了在下一代节点平面和 3D 器件制造所需的低沉积温度下,获取高品质 ALD 薄膜的重大挑战。

当前的 ALD 不仅涉及通过沉积连续的薄膜层(每层为一个原子的厚度)来铺设薄膜。该工艺也经常伴随所需的材料工程(处理),以便影响这些薄膜的特定性能。Olympia 系统的功能远远超越了传统解决方案,并通过了灵活的模块化设计实现了沉积与材料处理这一双重功能。这种模块化设计提供了无与伦比的工序能力,可解决在制造当今尖端存储和逻辑芯片所需的低沉积温度下获得高品质薄膜的重大挑战。灵活的设计也使系统能够适应多种前体和所需的加工/处理组合,以便提供在下一代器件中所期望的 ALD 工艺品质、多样性和热范围。

在 Olympia 腔中,晶圆旋转通过不同化学品的隔离区。在这里,每个晶圆依次暴露于两种化学物中,这些化学物在晶圆表面反应,以形成单层保形薄膜。每个暴露周期沉积额外的一层。可将处理工艺并入原子级的材料工程序列中,以满足特定客户需求。
 

Olympia ALD 系统通过创新型化学物管理来实现差异化,以确保用于沉积过程的单个前体的绝对隔离。这一独特的功能对于最大限度地避免产生潜在的有害副产物和微粒(可能在化学物自由混合时形成)至关重要。结果,系统仅产生极少的缺陷,并能在需要清洁腔体之前运行更长时间。此外,相比时间分散的传统 ALD,通过避免每次化学物处理之后的抽吸/冲洗步骤,该系统能够将生产力提升 50%。