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Endura® Versa™ XLR W PVD

在先进器件中,DRAM 结构的数据传输速度成为了制约系统性能的一个因素。为加速该数据传输,需要更快的外围栅极接触体。Endura Versa XLR W PVD 系统通过支持沉积低电阻钨膜来支持电阻率最低的存储器栅电极。

钨可用于 3D 器件结构中的栅叠层,而无需更改工艺流程或集成方案。 设计师可以从所带来的更高设计灵活性中受益。 此外,工艺套件的使用寿命较之前的 PVD 钨技术高了一倍,相当于将每个晶圆的耗材成本降低了 10%。