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Endura® Al PVD

Endura Al Slab 物理气相沉积 (PVD) 系统可在逻辑和动态随机存储器 (DRAM) 器件的钨塞上沉积铝材料,以形成金属布线。 该系统可带来极佳的抗电迁移能力和表面形貌,拥有成本低,可靠性高。

Endura PVD Al Slab 系统将 PVD Al Slab 技术扩展至亚 65nm 节点,将成熟的 Durasource TTN (Ti/TiN) 腔室与高生产效率的 Al HP PVD 腔室相结合。该系统集成到成熟的 Endura 主机上,可形成质量极佳的铝互连叠层,产能高,微粒控制效果极佳。

采用 ALPS 技术的 Endura 先进热铝填充Endura 先进热铝系统,以先进低压源 (ALPS) Al 作为种子层,将 PVD Al 填充技术扩展用于 90nm 及以下通孔级存储应用。ALPS Al 属于 PVD 工艺,在低压环境下操作,靶材-晶圆距离较长,使工艺腔室内的沉积物流动具有方向性,从而增加侧壁和底部覆盖。ALPS Al 工艺可对 250nm 以下的小尺寸通孔和接触孔提供优质的阶梯式覆盖。