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Centura® RP Epi

CMOS 技术需要两种类型的晶体管:PMOSNMOS。对于 PMOS,向沟道施加压缩应力(挤压晶格)最有利于改善其性能,这可以缩短纵距,增强原子间的键耦合,从而提升空穴迁移率。而对于 NMOS,则需要拉伸应力(拉伸晶格),以便增加纵距,减轻会影响其迁移率的电子碰撞。

应用材料公司的 Centura RP Epi 系统在过去的十余年始终走在行业前沿,该系统提供了从衬底形成到原位掺杂以及选择性 SiGe 的一系列外延解决方案,以增强先进逻辑和存储器件中的 PMOS 晶体管的性能。应用材料公司专有的外延技术可提供出色的薄膜性能、均匀性和极低的缺陷水平。新工艺充分利用这一专门技术,将 Centura RP Epi 系统的一系列应用扩展到 NMOS 晶体管的外延工艺,从而使 NMOS 驱动电流(速度)提升 20%,以适应下一代移动技术的需要。由此带来的性能提升幅度,相当于拓展了半个技术节点,从而能够有效提升处理能力,以便更好地支持不断发展的的移动应用。

NMOS 型晶体管的动画演示
PMOS 型晶体管的动画演示

Integrated on the Centura platform, Siconi technology delivers low-temperature, plasma-based, pre-clean capability without breaking vacuum, enabling true low-temperature epi for leading-edge technologies. Integrating these steps eliminates the HF dip and subsequent high-temperature hydrogen bake steps that pose growing challenges to devices beyond the 3x nm node. Further, it eliminates queue time and reduces interfacial contamination by more than an order of magnitude over stand-alone systems.