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Centura® iSprint™ Tungsten ALD/CVD

应用材料公司的 Centura iSprint Tungsten ALD/CVD(钨原子层沉积/化学气相沉积)系统为大展弦比结构提供了完整的接触孔/通孔填充工艺,并将钨技术的能力扩展至了 45nm/55nm 的逻辑和内存应用。

该系统将创新的 ALD 钨成核层技术与高产量的 Sprint CVD 钨批量填充工艺相结合,生成无空隙并与 CMP(化学机械研磨)工艺兼容的钨插头。

ALD 工艺将成核厚度从典型的 300Å 化学气相沉积值减到薄至 12Å,同时保持出色的阻挡性能,便于与 PVD Ti/MOCVD TiN 衬垫/阻挡层以可靠且可重复的方式集成。

iSprint 系统通过优化的 ALD 沉积室设计,也实现了高产量和低耗材成本;沉积室配备专有的快速输气系统,且体积小,用更少的气即可完成快速有效的气体充换。