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Centura® EPI 200mm

为支持不断变化的功率和 MEMS 器件要求,器件制造商把更厚的外延层作为目标。随着薄膜厚度进入 50µm 到 110µm 范围,以及对电阻率(薄层电阻)均匀性、缺陷密度、厚度和微粒性能更严格的制造公差要求,市场正从批量加工向单晶圆加工过渡。

应用材料公司的 Centura Epi 系统是经过全球生产验证的 ~900 200mm 腔室单晶圆、多反应腔室外延硅沉积系统。每个采用辐射加热的工艺腔室均可以提供精确和可重复的沉积条件控制,并可以实现完全无滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和电阻率均匀性,以及低缺陷水平。

凭借宽泛的温度和压力特性、出色的温度均匀性以及灵活的气体面板配置,Centura Epi 系统可支持先进的低温外延和多晶沉积工艺,包括锗和硅锗。此外,由于能够配置多达 3 个工艺腔室并为提供出色的原位腔室清洁性能进行过硬件优化,所以该系统能够实现市场领先的产能密度和低拥有成本 (CoO)。