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Centura DxZ CVD 200mm

为满足先进 MEMS、功率器件和封装市场的制造要求,对 200mm 先进化学气相沉积技术的需求也有所增加。种类越来越多的新兴技术器件,在制造上需要使用超厚氧化物 (≥20µm) 薄膜、低温(180° 到 350°C)薄膜、共形薄膜、低湿式刻蚀速率 (WER) 薄膜以及折射率 (RI) 可调的掺杂薄膜,这已成为此类器件制造的一个鲜明特色。

Centura DxZ CVD 系统可提供这些薄膜所涉及的大量工艺。应用材料公司在电介质 CVD 薄膜领域的优势基础,始于 TEOS、基于硅烷的氧化物和氮化物,进而又扩大到在先进芯片制造工艺(包括低 k、应变工程以及光刻薄膜)领域占据领先地位。

此外,Centura DxZ SACVD 系统(负压 CVD)还提供各种掺杂(磷化氢、硼和氟)和无掺杂间隙填充解决方案。这些工艺可满足浅沟槽隔离层 (STI)、金属前电介质层 (PMD)、层间电介质层 (ILD)、金属层间电介质层 (IMD) 等应用需求。

Centura DxZ CVD 腔室采用了非消耗型电阻加热器和陶瓷部件,可显著改善成本、产能、易维护性和可靠性。DxZ 工艺套件也由零消耗部件组成。借助单晶圆多腔室架构,Centura DxZ 可提供高达 100WPH(3,000Å PE TEOS 和硅烷等离子体)和 55wph (3000Å SACVD USG) 的产能。对称式设计和小腔室容量,对于沉积和清洁化学物可实现高效的气体利用率,这有助于降低总体拥有成本。