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Centura® AdvantEdge™ Mesa™ 刻蚀

应用材料公司的 Centura AdvantEdge Mesa 硅刻蚀系统在 32nm 及更先进节点的浅沟槽隔离区、埋入式位线/字线以及双重图形技术中实现了埃米级的精度。该系统采用突破性的电感耦合等离子体 (ICP) 源技术,通过消除固有的 ICP 环形功率耦合特征来提高均匀性。它能够控制中心到边缘的等离子体特性,从而最大程度提高工艺宽容度。

反应腔室采用先进材料,可实现“清洁模式”操作,从而降低设备拥有成本,提高产能。 此外,它还消除了第一晶圆效应,从而确保晶圆工艺的可重复性,这一点已获得生产验证。

AdvantEdge Mesa 在晶圆最外缘的刻蚀深度不均匀性 <1% ,且具有 <1nm 3σ 的 CD 偏差均匀性,以及最高的晶圆可行产能,而运行成本只有同类先进硅刻蚀工具的一半。

可选的 Pulsync 技术为系统增加了创新的同步等离子脉冲功能,可以更精确地控制中性粒子对离子的密度。借助该技术,客户可以减少微负载效应,从而能够将图形化和临界硅刻蚀技术推进到 3xnm 和更先进节点。Pulsync 可提供富含自由基的低电子温度等离子体,可将栅极刻蚀中的紫外线照射和电荷累积的损害降到最低。

该系统先进的静电卡盘边缘温度控制技术,提升了对晶圆最外缘温度均匀性的控制,从而提高每个晶圆的晶粒产量。